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IXTQ60N20T

制造商：IXYS

批号：19+

数量：2000+

功能：DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3

IXTQ60N20T 详细信息
  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）200V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）40 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）73nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4530pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）500W（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-3P
  • 封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3
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