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IXRFSM12N100

制造商：IXYS-RF

批号：19+

数量：2000+

功能：2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE

IXRFSM12N100 详细信息
  • 包装管件
  • 系列SMPD
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）1000V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）15V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）1.05 欧姆 @ 6A，15V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5.5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）77nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2875pF @ 800V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）940W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装16-SMPD
  • 封装/外壳16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘
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